...tpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlisttag0StparSt
pardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlisttag0StparStpa
rdtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlisttag0StparStpard
tplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlisttag0StparStpardtp
laintqjItf0tfs24tlang1033Ittlisttag0StparStpardtpla
intqjItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0SIn ordine sunt prezentati SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SCharles H. Tones SItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0SMassachusetts Institute of Technology MIT, Cambridge, MA, USA nascut in 1915SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SSItf0tfs24tla
ng3081Ittlisttag0S, SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SNicolay Gennadiyevich Basov SItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0SLebedev Institute for Physics Akademija Nauk Mosco, USSR nascut in 1922 si SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SAleksandr Mikhailovich Prokhorov SItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0SLebedev Institute for Physics Akademija Nauk Mosco, USSR nascut in 1916. Cei trei au impartit premiul Nobel atribuit in 1964 pentru t93cercetarile fundamentale in domeniul electronicii cuantice care au condus la construirea oscilatoarelor si a amplificatorilor bazati pe principiul maser-lasert94.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang30
81Ittlisttag0SPartea teoretica este usor de gasit in majoritatea manualelor, cursurilor si compendiilor de fizica existente asa ca lucrarea de fata nu se va concentra asupra acestui aspect. Principiul LASER consta in faptul ca atomii elibereaza energie sub forma de fotoni atunci cand parcurg tranzitia de pe un nivel de excitare metastabil spre un nivel de echilibru. Aceasta tranzitie se face sub influenta unui factor declansator si de aceea emisia de energie se numeste emisie stimulata sau emisie indusa. Odata pornita reactia aceasta se propaga sub forma piramidala astfel, un foton emis de un atom dezexcitat va declansa reactia la altul, acesta la randul lui va emite un foton si il va elibera si pe cel incident. Avem doi fotoni care se vor inmulti exponential. Astfel se produce o amplificare a radiatiei luminoase.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Itt
listtag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittli
sttag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tbtlang3081Ittli
sttag0SRealizarea practica a dispozitivelor LASER. Tipuri de laser.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlist
tag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tlang3081Ittlistta
g0SPartile constituente ale unui laser sunt mediul activ, sistemul de excitare si rezonatorul optic. Partea esentiala a unui dispozitiv laser o constituie SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0Smediul activSItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0S, adica un mediu in care se gasesc atomii aflati intr-o stare energetica superioara celei de echilibru. In acest mediu activ se produce amplificarea radiatiei luminoase daca avem o radiatie luminoasa incidenta sau chiar emisia si amplificarea radiatiei luminoase daca nu avem o radiatie luminoasa incidenta. SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SSistemul de excitare SItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0Seste necesar pentru obtinerea de sisteme atomice cu mai multi atomi intr-o stare energetica superioara. Exista mai multe moduri de a realiza excitarea atomilor din mediul activ, in functie de natura mediului. SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SRezonatorul opticSItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0S este un sistem de lentile si oglinzi necesare pentru prelucrarea optica a radiatiei emise. Desi la iesirea din mediul activ razele laser sunt aproape perfect paralele rezonatorul optic este folosit pentru colimarea mult mai precisa, pentru concentrarea razelor intr-un punct calculat, pentru dispersia razelor sau alte aplicatii necesare.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang3081Ittl
isttag0SDupa natura mediului activ deosebim mai multe tipuri de laser. Printre acestea regasim SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0Slaserul cu rubinSItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0S, la care distingem bara de rubin tratat drept mediul activ iar ansamblul sursa de lumina plus oglinzi poarta rolul de sistem de excitare. SItf0tfs24tbtlang3081Ittlisttag0SLaserul cu gazSItf0tfs24tlang3081Ittlisttag0S foloseste amestecuri de gaze rare He, Ne, Ar, Kr sau CO2 drept mediu activ si o sursa de curent electric legata la doi electrozi iau rolul de sistem de excitare.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittl
isttag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Ittlis
ttag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tbtlang3081Ittlis
ttag0SLASER-ul cu semiconductori. Aprecieri teoretice.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlang1033Itt
listtag0StparStpardtplaintqjItf0tfs24tlang3081Ittli
sttag0SLaserul cu semiconductori este constituit ca si celelalte tipuri de laser tot pe sablonul mediu activ, sistem de excitare, rezonator optic. In acest caz un amestec semiconductor este folosit ca mediu activ. Cel mai adesea se folosesc combinatii de metale din aceleasi perioade ale grupelor IIIa si Va. Dintre acestea semiconductorul cel mai folosit este cel format din Galiu si Arsenic GaAs. Alte medii active au fost obtinute atat din amestecuri ale elementelor grupelor IIa si Via Zinc si Seleniu t96 ZnSe cat si din amestecuri de trei sau patru elemente. Ultimele doua sunt mai ades folosite pentru emisia unor radiatii mult mai precise din punct de vedere al lungimii de unda. Sistemul de excitare este constituit din doua straturi de semiconductori, unul de tip SItf0tfs24titlang3081Ittlisttag0SpSItf0tfs24tlang3
081Ittlisttag0S si unul de tip SItf0tfs24titlang3081Ittlisttag0SnSItf0tfs24tlang3
081Ittlisttag0S. Pentru a intelege mai bine aceste doua notiuni trebuie amintite cateva considerente teoretice cu privire la fizica solidului, in special principiul semiconductorilor.StpartpardtplaintqjItf0tfs24tlan
g3081Ittlisttag0SSemiconductorii sunt o clasa de materiale larg folosita in electronica datorita posibilitatii controlului proprietatilor electrice. Rezistivitatea electrica a unui semiconductor scade odata cu cresterea temperaturii iar valoarea ei poate fi modificata in limite foarte largi 10SItf0tfs24tsupertlang3081Ittlisttag0S-2SItf0tfs2
4tlang3081Ittlisttag0S t96 10SItf0tfs24tsupertlang3081Ittlisttag0S8SItf0tfs24
tlang3081Ittlisttag0S cm. Intr-un semiconductor foarte pur, conductibilitatea electrica este data de electronii proprii, numita si conductibilitate intrinseca, iar in cazul materialelor impurificate avem de-a face cu o conductibilitate extrinseca. Conductibilitatea intrinseca poate fi explicata pe scurt astfel. La 0K, electronii sunt asezati in legaturile covalente formate intre atomii semiconductorului intrinsec. Odata cu cresterea temperaturii unii electroni se rup din legaturi fiind liberi sa circule in tot volumul cristalului. Se produce un fenomen de ionizare, iar in locul electronului plecat ramane un gol. Imediat el se ocupa cu un alt electron alaturat, golul se deplaseaza o pozitie. Daca aplicam un camp electric in semiconductor, electronii liberi se vor misca in sens invers campului, dar si golurile vor forma un curent pozitiv de acelasi sens cu campul. Cel mai interesant fenomen il reprezinta modificarea spectaculoasa a rezistivitatii electrice a semiconductorilor prin impurificare. Astfel, daca din 10SItf0tfs24tsuper...
Download