...e date informatii, iar adresa locatiei unde va fi inmagazinata informatia se introduce in registrul de adrese.Transferul informatiei in locatia respectiva are loc in urma aplicarii comenzii de inscriere a datelor.Pentru citirea informatiei, se specifica mai intai adresa locatiei de memorie, cu ajutorul registrului de adrese. Informatia este transmisa din memorie in registrul de informatii, in vederea citirii, in urma aplicarii comenzii de citire a datelor.Pentru a face posibila recunoasterea locatiei, atat la scriere, cat si la citire, continutul registrului de adrese se decodifica, cu ajutorul unui decodificator de adrese.Clasificarea si caracteristicile unei memoriiIn majoritatea sistemelor de calcul se utilizeaza urmatoarele tipuri de memoriiMemorii internecaracterizate prin capacitate mica si viteza mare de operareMemorii externe de capacitate foarte mare si viteza redusa de operare sau accesMemorii tampon de capacitate medie si viteza de operare comparabila cu a memoriilor interne.De asemenea, memoriile se mai pot clasifica inMemorii distructive la care informatia este distrusa in urma citiriiMemorii nedistructive la care informatia nu este alterata la citire.Dupa modul de functionare, memoriile pot fiStatice retin informatia cat timp memoria este alimentataDinamice chiar cand sunt alimentate, stocheaza informatia un timp scurt 1-2 ms continutul memoriei trebuie improspatat din timp in timp Din punct de vedere al modificarii continutului memoriei, memoriile pot fiMemorii numai citeste ROM READ ONLY MEMORY continutul se inscrie la fabricarea circuitului integrat.Memorii citeste-scrie RM READ RITE MEMORY sau RAM RANDOM ACCES MEMORY memorie cu acces aleatoriu.Memorii semipermanente reprogramabile READ MOSTLY MEMORY.Caracteristicile unei memoriiTimpul de acces de adresareEste durata intre solicitarea unei celule locatii in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi citit 30-60 ns la memoriile TTL 100-500 ns la memoriile MOS2. Modul de acces exista doua moduri de organizare a unei retele de celule de memorieSerie in care timpul de localizare unei adrese depinde de pozitia ei in reteaAleator RANDOM ACCES care nu depinde de pozitia adresei in retea.Capacitatea de inmagazinareNumarul de celule continute de o memorie este totdeauna o putere a lui 2. Capacitatea reprezinta produsul intre numarul de cuvinte in memorie si numarul de celule cuprinse in fiecare cuvant.4. Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se masoara in mbit.Memorii TTL 1mbitMemorii MOS 0,1 mbitMemorii CMOS 0,01 mbit.MEMORII ROMMemoriile ROM Read Only Memories memorie numai pentru citire sunt utilizate pentru pastrarea programelor. Sunt circuite LSI in care elementele componente se interconecteaza in procesul de fabricatie, astfel incat sa asigure memorarea informatiei binare cu o structura fixa. Dupa ce memoria a fost programata astfel de catre producator, nu mai poate fi schimbata de utilizator memorie moarta si nu se pierde dupa decuplarea de la sursa de alimentare cu energie electrica.Sunt memorii de tip special, in care informatia se inscrie chiar la fabricarea circuitului integrat. Odata realizata, intr-o memorie din aceasta categorie nu se mai poate inscrie nici o alta informatie, dar continutul sau se poate citi ori de cate ori se doreste.Mai poate fi intalnita si sub denumirilememorie fixa, memorie moarta, nealterabila sau permanenta.Organizarea sub forma de matrice permite reducerea numarului intrarilor de adresare la un numar mai mic decat numarul informatiilor stocate.Numarul terminalelor de adresare poate fi micsorat prin adresarea in cod binar si utilizand decodificatoare.Acest mod de adresare in cod binar este utilizat si in cazul memoriilor RAM.Memoriile ROM pot fi realizate si in tehnologia bipolara, si in tehnologia MOS.Memoriile ROM programabileProgramarea PROM-urilor se realizeaza prin asa numita ardere, in felul urmator un modul de memorie integrata este alcatuit din matrici de celule de memorie bazate pe contacte electrice bistabile, starea dechis fiind codificata 0 logic, iar starea inchis 1 logic. Combinarea acestora in functie de coordonatele xy ale matricei conduce la obtinerea de coduri citite sau inscrise. In memoria PROM, fiecare celula de memorie este conectata in serie cu un element fuzibil de aluminiu sau nichel-crom, avand lungimea de cativa m. In timpul programarii memoriei cu ajutorul unui dispozitiv comandat prin calculator, segmental fuzibil poate fi distrus prin ardere la transmiterea unui current de 0,1-1 A. Distrugerea legaturii determina memorarea unei stari sau mentinerea legaturii, alta stare binara. Capacitatea memoriei indica numarul de cuvinte de calculator octet sau codul unui caracter posibil de memorat. Se exprima in Kocteti, Kbyte, Kcuvinte, acesta din urma pentru cuvinte codificate cu 8,16 sau chiar 32 biti.Memorii RAM Memoriile RAM RANDOM ACCES MEMORIES memorii cu posibilitati de citire sau inscriere sunt specializate pentru inregistrarea datelor sau rezultatelor. Ca principiul de functionare, memoriile RAM realizate prin tehnica MOS pot fi statice sau dinamice, continutul memoriei improspatandu-se la 1-2 ms. Prezinta dezavantajul volatizarii stergerii informatiei la intreruperea alimentarii cu energie electrica. Prevenirea intreruperilor nedorite se obtine prin alimentarea cu o baterie la bornele circuitului RAM.Momoriile RAM se realizeaza atat in tehnologie bipolara,cat si in tehnologie MOS. Celulele de memorie bipolare sunt de tip staticretin imformatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de tensiune.Celulele de memorie de tip MOS pot fi statice,fie dinamice.Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele staticePutere consumata in repaus este mult mai micaNumarul de trazistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se pot realiza memorii de capacitate mai mare pe cip,la un pret de cost mai mic.Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine,tehnologic sunt mai usor de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat cel al memoriilor cu tranzistori bipolari. Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schinb consumul lor este mult mai mic.Memoriile RAM in tehnologia TTL utilizeaza de regula tranzistoare multiemitor.DATE DE CATALOGTipuri reprezentative de memorii integrate7481 memorie citeste scrie RAM de 16 biti. 14 13 12 11 10 9 8 3JH 333333333 3 33 1 2 3 4 5 6 7 0,1- scrie,,0, scrie ,,1 S0,S1- citeste,,0,citeste,,17489 RAM bipolar de 64 biti 16 x 4 16 15 14 13 ...
Download